對當(dāng)年產(chǎn)值首次達(dá)到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持500萬元。
財聯(lián)社10月27日訊,《廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法》今日印發(fā)。其中提出,鼓勵發(fā)展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材、光芯片等高端半導(dǎo)體制造材料,支持清洗設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入、沉積設(shè)備、封裝設(shè)備(劃片機(jī)、減薄機(jī)、引線鍵合機(jī)、倒裝鍵合機(jī)及貼片機(jī)等)、檢測設(shè)備(測試機(jī)、探針臺等)以及單晶生長爐、外延生長爐等設(shè)備、關(guān)鍵零部件及工具國產(chǎn)化替代。
對當(dāng)年產(chǎn)值首次達(dá)到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持500萬元。
廣州市黃埔區(qū)工業(yè)和信息化局 廣州開發(fā)區(qū)經(jīng)濟(jì)和信息化局關(guān)于印發(fā)廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法的通知
區(qū)各有關(guān)單位:
《廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法》業(yè)經(jīng)廣州開發(fā)區(qū)管委會、黃埔區(qū)政府同意,現(xiàn)印發(fā)實施。執(zhí)行過程中如遇問題,請徑向區(qū)工業(yè)和信息化局反映。
特此通知。
廣州市黃埔區(qū)工業(yè)和信息化局 廣州開發(fā)區(qū)經(jīng)濟(jì)和信息化局
2023年10月27日
廣州開發(fā)區(qū) 廣州市黃埔區(qū)促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦法
第一條【目的】為深入貫徹習(xí)近平總書記關(guān)于“要聚焦集成電路等重點領(lǐng)域,加快鍛造長板、補(bǔ)齊短板,培育一批具有國際競爭力的大企業(yè)和具有產(chǎn)業(yè)鏈控制力的生態(tài)主導(dǎo)型企業(yè),構(gòu)建自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài)”的重要指示精神,大力實施“廣東強(qiáng)芯”工程、“制造強(qiáng)市”以及黃埔區(qū)“四個萬億”計劃。根據(jù)《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》(國發(fā)〔2020〕8號)、《廣東省培育半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動計劃(2021-2025年)》(粵發(fā)改產(chǎn)業(yè)〔2020〕338號)、《廣州市加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的若干措施》(穗工信規(guī)字〔2020〕4號》等文件精神,結(jié)合本區(qū)實際,助力打造中國集成電路第三極核心承載區(qū),制定本辦法。
第二條【適用范圍】本辦法適用于注冊登記地、稅務(wù)征管關(guān)系及統(tǒng)計關(guān)系在廣州開發(fā)區(qū)、廣州市黃埔區(qū)及其受托管理和下轄園區(qū)(以下簡稱本區(qū))范圍內(nèi),有健全財務(wù)制度、具有獨立法人資格(單獨入統(tǒng)的分公司視同具有獨立法人資格)、實行獨立核算、符合信用管理相關(guān)規(guī)定的集成電路企業(yè)。
本辦法所稱的集成電路企業(yè)是指專門從事集成電路設(shè)計、芯片架構(gòu)設(shè)計、EDA及IP開發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)、先進(jìn)封裝測試、裝備、材料和零部件等經(jīng)營活動的相關(guān)企業(yè)。
第三條【推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈強(qiáng)化優(yōu)化】在CPU(中央處理器)、GPU(圖形處理器)、MCU(微處理器)、FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)、存儲、AI算法等高端數(shù)字芯片,電源管理、顯示驅(qū)動、射頻通信、光通信、ADC/DAC(模數(shù)轉(zhuǎn)換)等高端模擬芯片等領(lǐng)域,培育和引進(jìn)一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)和行業(yè)影響力的高端芯片設(shè)計企業(yè)。對當(dāng)年主營業(yè)務(wù)收入首次達(dá)到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路設(shè)計企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持500萬元。
鼓勵企業(yè)自主開展基于新器件、新材料、新工藝的ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP研發(fā)設(shè)計。對當(dāng)年主營業(yè)務(wù)收入首次達(dá)到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP研發(fā)設(shè)計企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持500萬元。
對主營業(yè)務(wù)收入連續(xù)兩年均1億元以上,且第二年主營業(yè)務(wù)收入同比增長30%及以上但尚未達(dá)到下一檔扶持條件的集成電路設(shè)計企業(yè)、ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP研發(fā)設(shè)計企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,給予20萬元的扶持,享受本款扶持后企業(yè)達(dá)到下一檔扶持條件的,按差額補(bǔ)足方式給予下一檔扶持。
鼓勵發(fā)展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材、光芯片等高端半導(dǎo)體制造材料,支持清洗設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入、沉積設(shè)備、封裝設(shè)備(劃片機(jī)、減薄機(jī)、引線鍵合機(jī)、倒裝鍵合機(jī)及貼片機(jī)等)、檢測設(shè)備(測試機(jī)、探針臺等)以及單晶生長爐、外延生長爐等設(shè)備、關(guān)鍵零部件及工具國產(chǎn)化替代。對當(dāng)年產(chǎn)值首次達(dá)到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持500萬元。
支持12英寸先進(jìn)SOI工藝研發(fā),建設(shè)FD-SOI(全耗盡絕緣體上硅)工藝研發(fā)線、RF-SOI(射頻絕緣體上硅)工藝生產(chǎn)線、半導(dǎo)體激光器工藝研發(fā)線和生產(chǎn)線,布局碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體襯底、外延片等產(chǎn)線。對當(dāng)年產(chǎn)值首次達(dá)到5億元、10億元、20億元的集成電路生產(chǎn)企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予100萬元、200萬元、400萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持400萬元。
建設(shè)系統(tǒng)級封裝、晶圓級封裝等高端封裝技術(shù)生產(chǎn)線,支持開發(fā)2.5D/3D異質(zhì)集成、chiplet(芯粒)等先進(jìn)封裝技術(shù)。對當(dāng)年產(chǎn)值首次達(dá)到1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路先進(jìn)封裝測試企業(yè),經(jīng)認(rèn)定,分別給予50萬元、100萬元、200萬元、300萬元的扶持,同一企業(yè)按差額補(bǔ)足方式最高扶持300萬元。(責(zé)任單位:區(qū)工業(yè)和信息化局)
第四條【突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)】對企業(yè)研發(fā)多項目晶圓(MPW)直接費用、購買光罩(MASK)直接費用和工程片、試流片加工費用的40%給予補(bǔ)貼(相關(guān)費用按照不含稅計算),每家企業(yè)每年累計最高補(bǔ)貼500萬元。(責(zé)任單位:區(qū)科技局)
對企業(yè)專業(yè)從事ARM、X86及RISC-V芯片架構(gòu)、EDA及IP開發(fā)設(shè)計的,對加計扣除后的研發(fā)費用按30%的比例給予扶持,每家企業(yè)每年累計最高補(bǔ)貼500萬元。(責(zé)任單位:區(qū)工業(yè)和信息化局)
第五條【支持國產(chǎn)化自主創(chuàng)新】對區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè)自行采購符合要求的非關(guān)聯(lián)集成電路企業(yè)或機(jī)構(gòu)自主研發(fā)設(shè)計的光刻、沉積、刻蝕、量測四類設(shè)備,且新購置單臺(套)設(shè)備價值超過500萬元的,經(jīng)認(rèn)定,每單給予25萬元補(bǔ)貼,每家企業(yè)每年最高補(bǔ)貼50萬元。
對區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè)自行采購符合要求的非關(guān)聯(lián)集成電路企業(yè)或機(jī)構(gòu)自主研發(fā)設(shè)計的EDA工具及IP授權(quán),且年采購金額累計50萬元以上的,經(jīng)認(rèn)定,按其當(dāng)年實際采購金額的10%給予補(bǔ)貼,每家企業(yè)每年最高補(bǔ)貼50萬元。(責(zé)任單位:區(qū)工業(yè)和信息化局)
第六條【加大投早投小投科技力度】鼓勵國企基金重點圍繞我區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè),聚焦產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)、薄弱環(huán)節(jié),著眼關(guān)鍵共性技術(shù)、前沿引領(lǐng)技術(shù)和顛覆性技術(shù)突破,加大投資布局,充分發(fā)揮基金投資的資金支持、招商帶動作用,吸引集聚優(yōu)質(zhì)科技型集成電路領(lǐng)域中小企業(yè)落戶。(責(zé)任單位:各區(qū)屬國企)
對積極投向區(qū)內(nèi)科技型集成電路中小企業(yè)的國企基金予以大力支持。(責(zé)任單位:區(qū)國資局)
第七條【強(qiáng)化基礎(chǔ)設(shè)施保障】對于集成電路重大戰(zhàn)略性項目,其用地、籌建、供電、供水、排污等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)問題,由所在街道、管委會,行業(yè)主管部門以及相關(guān)職能部門和單位綜合研究依法給予大力保障。
第八條【打造人才高地】加強(qiáng)對集成電路人才的扶持力度,對符合我區(qū)人才標(biāo)準(zhǔn)的集成電路人才,按照相關(guān)人才政策措施給予大力支持。
第九條【重點扶持】對地方產(chǎn)業(yè)生態(tài)集聚帶動性強(qiáng)、貢獻(xiàn)性大的集成電路領(lǐng)域重大戰(zhàn)略項目,經(jīng)管委會、區(qū)政府同意,另行予以重點扶持。
第十條【附則】符合本辦法規(guī)定的同一項目、同一事項同時符合本區(qū)其他扶持政策規(guī)定(含上級部門要求區(qū)里配套或負(fù)擔(dān)資金的政策規(guī)定)的,按照從高不重復(fù)的原則予以支持,另有規(guī)定的除外。本辦法條款所涉及的金額均不含稅,獲得扶持的涉稅支出由企業(yè)或個人承擔(dān)。區(qū)內(nèi)企業(yè)新設(shè)分支機(jī)構(gòu)、變更名稱、分拆業(yè)務(wù)等不屬于本政策辦法扶持范疇。本辦法所涉及的財政資金??顚S茫髫?zé)任單位適時制定實施細(xì)則,且實施細(xì)則范圍應(yīng)結(jié)合我區(qū)工作重點予以確定,具體內(nèi)容以當(dāng)年發(fā)布的申報指南為準(zhǔn)。其中,相關(guān)扶持獎勵補(bǔ)貼的比例和限額均為上限數(shù)額,并且其比例和金額受年度資金預(yù)算總量控制。
本辦法自印發(fā)之日起實施,有效期3年。