《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》22日訊，受惠于AI商機(jī)帶來紅利，存儲(chǔ)器大廠營(yíng)運(yùn)持續(xù)復(fù)蘇成長(zhǎng)，市場(chǎng)預(yù)期，在HBM需求急增以及DDR5滲透率提升帶動(dòng)下，整體DRAM產(chǎn)品均價(jià)將持續(xù)上漲，2024年平均漲幅約達(dá)五至六成以上，盡管基期已拉高，但2025年仍有機(jī)會(huì)維持三至四成的漲幅，HBM將是直接牽動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)供需及價(jià)格走勢(shì)的關(guān)鍵。8層堆疊的HBM平均價(jià)格約較DDR5約高出5倍，而業(yè)界HBM的良率仍有很大的改善空間，以及AI服務(wù)器推動(dòng)存儲(chǔ)器需求增加，帶動(dòng)HBM在整體DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值的比重逐年提升，預(yù)計(jì)2025年在DRAM總產(chǎn)能比重將超過10%，而產(chǎn)值貢獻(xiàn)將可望超過30%以上。 (臺(tái)灣電子時(shí)報(bào))