中信證券研報指出，美國商務(wù)部于2024年12月2日更新了半導(dǎo)體出口管制政策和實體清單，主要針對中國大陸半導(dǎo)體企業(yè)。本次制裁仍然是主要圍繞先進制程的“小院高墻”式策略，意在卡住中國先進半導(dǎo)體發(fā)展進程，相關(guān)內(nèi)容與此前媒體報道內(nèi)容差別不大，市場已有所預(yù)期，由于相關(guān)企業(yè)已有提前準備，中信證券認為短期實際影響有限，長期而言則需放棄幻想，自立自強，有望進一步加速全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程。

▍美國更新出口管制規(guī)則并新增實體清單，瞄準中國大陸半導(dǎo)體領(lǐng)域。

2024年12月2日北京時間晚間，美國工業(yè)和安全局(BIS)發(fā)布了《出口管理條例(EAR)》的修訂說明，修訂半導(dǎo)體相關(guān)的出口管制規(guī)則，同時將 140個中國實體列入“實體清單”。核心內(nèi)容包括但不限于：1）實體清單新增140家公司，并修改對部分企業(yè)（標注“腳注5” 的企業(yè)）供應(yīng)含美技術(shù)外國產(chǎn)品的限制要求，以及從驗證最終用戶 (VEU) “白名單”計劃中刪除3家中國企業(yè)；2）針對高帶寬內(nèi)存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c編碼）；3）擴展了部分半導(dǎo)體制造設(shè)備和相關(guān)物品的管制品類，適用于外國直接產(chǎn)品規(guī)則。

▍針對實體清單企業(yè)和白名單的更新主要包含三部分。

1）新增140家實體清單公司，主要為國產(chǎn)半導(dǎo)體制造、設(shè)備廠商，也涉及EDA、投資公司。本次新增實體清單的公司包括半導(dǎo)體設(shè)備廠商北方華創(chuàng)、拓荊科技、盛美上海、至純科技、中科飛測、新凱來、凱世通、華峰測控、爍科中科信、華海清科、芯源微、北京屹唐、東方晶源、上海睿勵等半導(dǎo)體設(shè)備廠商及部分子公司；半導(dǎo)體制造商青島芯恩、昇維旭、鵬新旭、武漢新芯等；EDA廠商華大九天及其子公司；半導(dǎo)體材料廠商南大光電及其子公司、上海新昇（滬硅產(chǎn)業(yè)旗下）、珠海基石、至純精密氣體等；半導(dǎo)體海外并購相關(guān)的建廣資產(chǎn)、智路資本、聞泰科技等。實體清單內(nèi)企業(yè)在購買美國技術(shù)含量25%以上產(chǎn)品時受到限制。

2）對14家實體清單中的晶圓廠及研發(fā)中心增加了“腳注5”限制，更嚴格限制含美技術(shù)產(chǎn)品的采購。BIS針對14家已經(jīng)被列入實體清單或新列入的晶圓廠和研發(fā)中心增加了“腳注5”，包括福建晉華、中芯北京、中芯國際、中芯北方、鵬芯微、ICRD、中芯南方、武漢新芯、青島芯恩、中科院微電子所、上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、張江實驗室、北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心、中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)公司等，BIS限制采用美國技術(shù)的公司（包括美系和非美系）向這些中國公司出口任何含有美國技術(shù)的產(chǎn)品。此外BIS對中芯國際的許可批準政策也做了修訂。

3）3家半導(dǎo)體公司被移除VEU清單。BIS將三家中國半導(dǎo)體公司從VEU（授權(quán)驗證最終用戶）“白名單”清單移除，分別為中微公司、華虹半導(dǎo)體和華潤微，VEU公司無需從 BIS 獲得出口、再出口或轉(zhuǎn)讓（國內(nèi)）許可證，現(xiàn)在被移除后，購買受管制的商品、軟件和/或技術(shù)均需要通過BIS審查。

▍HBM和先進DRAM的限制加碼，新增限制HBM的技術(shù)參數(shù)，主流HBM產(chǎn)品受管制。

1）新增HBM管制物項編碼：針對HBM增加了3A090.c管制物項編碼，存儲帶寬密度超過每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示當前所有量產(chǎn)中的HBM均受限；3A090.c主要針對獨立HBM，而對于HBM與邏輯合封的產(chǎn)品，則主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根據(jù)3A090.a/3A090.b）；此外，對于美國或盟友企業(yè)在中國工廠封裝等情形，設(shè)置了許可例外條件，當滿足HBM內(nèi)存帶寬密度小于3.3GB/s/mm2等一系列條件時，可申請許可證例外授權(quán)，對產(chǎn)品去向仍有嚴格管控。

2）修改先進DRAM定義：在限制半導(dǎo)體設(shè)備時，將先進DRAM的技術(shù)標準從“18 納米半間距或更小”修正為當 DRAM集成電路的存儲單元面積小于0.0019μm2或存儲密度大于 0.288Gbit/mm2時，該集成電路即符合 "先進節(jié)點集成電路 (Advanced-Node IC) "，從而限制3D DRAM等技術(shù)，達到這一水平的國內(nèi)DRAM存儲廠采購含美技術(shù)設(shè)備需要許可證。

▍修訂“商業(yè)管制清單CCL”，新增8類高端設(shè)備管制。

BIS在管制清單中新增8種品類（ECCN 3B001），后續(xù)此類設(shè)備的采購均需要許可要求或推定拒絕，主要包括：用于封裝含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蝕設(shè)備；用于在先進集成電路的金屬線之間沉積低介電材料的設(shè)備；用于先進存儲器集成電路中低電阻率金屬（鉬和釕）的沉積設(shè)備；用于先進 DRAM中絕緣體沉積的設(shè)備；部分用先進節(jié)點鎢沉積的物理沉積設(shè)備；能夠用于先進節(jié)點集成電路生產(chǎn)的納米壓印光刻設(shè)備（套刻精度小于 1.5nm）；用于先進制程的高端單片清洗設(shè)備（如超臨界清洗）；控制用于改善EUV光刻整體圖形的沉積或刻蝕設(shè)備等。同時，7種商品從原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要許可要求或推定拒絕，原因是這些商品與制程節(jié)點無關(guān)，并已在非先進節(jié)點制造應(yīng)用中得到廣泛使用。

▍風(fēng)險因素：

全球宏觀經(jīng)濟低迷風(fēng)險，下游需求不及預(yù)期，國際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險，國產(chǎn)化推進不及預(yù)期，匯率大幅波動，美國制裁加劇，日荷等美國盟友收緊半導(dǎo)體政策等。

▍投資策略：

本次制裁內(nèi)容與此前媒體報道內(nèi)容差別不大，市場已有所預(yù)期，由于相關(guān)企業(yè)已有準備，已經(jīng)提前進行了長期囤貨和去美供應(yīng)鏈切換，我們認為短期實際影響有限，對企業(yè)業(yè)務(wù)連續(xù)性不構(gòu)成顯著影響，長期而言則需放棄幻想，自立自強，有望進一步加速全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程。

1）半導(dǎo)體零部件企業(yè)國產(chǎn)化進一步加速。制裁走向上游，建議關(guān)注零部件國產(chǎn)化機會。

2）設(shè)備企業(yè)國產(chǎn)化趨勢明確，當前最應(yīng)關(guān)注具備先進制程、平臺化、細分國產(chǎn)化率低的公司。

3）先進封裝在AI芯片領(lǐng)域發(fā)揮作用增強，在2.5D/3D/HBM相關(guān)方向有持續(xù)技術(shù)迭代空間。建議關(guān)注國內(nèi)布局先進封裝的廠商。

4）晶圓廠作為半導(dǎo)體先進國產(chǎn)化核心戰(zhàn)略資產(chǎn)地位強化。